HPSP/어닐링 Annealing

어닐링은 내부의 변형을 바로잡기 위해 일정 온도까지 가열했다가 서서히 식히는 열처리 방법이다.

 

이온주입(Ion Implantation) 공정 시

계면에 데미지를 입은 웨이퍼에 상처가 아물도록 온도 변화를 주는 공정을 ‘어닐링(Annealing)’이라 한다.

어닐링 방식의 경우,

퍼니스(Furnace)를 이용한 고온 가열 방식에서 현재는 급속 열처리 방식인 RTA(Rapid Thermal Annealing) 타입이 주류

하지만 웨이퍼에 온도가 가해질 때 센터의 온도가 에지(Edge)보다 높아 웨이퍼가 뒤틀리거나(Warpage) 단층(Dislocation)이 발생하는 등의 문제가 완전히 해결된 것은 아니다.

따라서 웨이퍼 상의 온도를 균일하게 유지하기 위해 복사광선 타입인 RTA를 보완하거나,

일반적인 열처리 방식인 Full-Batch Type과 RTA의 복합형을 연구하는 등 다양한 형태의 어닐링 개발이 활발히 이뤄지고 있다.(SK하이닉스 홈페이지 참고)

# HPSP 홈페이지 참고사진

 

주) 2024/04/16 공시내용